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  • ZGSOI 納秒光開關(guān)芯片陣列
    ZGSOI 納秒光開關(guān)芯片陣列

    更新時間：2025-05-10

    型號：ZG

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    SOI 納秒光開關(guān)芯片陣列該產(chǎn)品基于硅基載流子色散效應實現(xiàn)納秒級高速響應的光路切換，實現(xiàn)了多通道光開關(guān)陣列的單片化集成，芯片與多通道光纖和外圍驅(qū)動電路一體化光電封裝，熱電混調(diào)，數(shù)字化驅(qū)動，偏振相關(guān)性小，插入損耗低
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  • ZG9bit 可調(diào)光延時線芯片 SOI 硅光子
    ZG9bit 可調(diào)光延時線芯片 SOI 硅光子

    更新時間：2025-05-10

    型號：ZG

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    9bit 可調(diào)光延時線芯片 SOI 硅光子集成多比特光時延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技術(shù)，是目前綜合性能和集成度最高的光時延器產(chǎn)品。采用二進制多級時延回路結(jié)構(gòu)，芯片集成時延切換開關(guān)和包含了均衡和雜波抑制衰減器的延遲光波導回路，延時切換時間達到 200ns 以下，最大總時延量 1022ps；延時精度 0.5ps，片內(nèi)單級延時損耗低至 0.8dB/bit
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  • ZG9bit 可調(diào)光延時線芯片 SOI 硅光子技術(shù)
    ZG9bit 可調(diào)光延時線芯片 SOI 硅光子技術(shù)

    更新時間：2025-05-10

    型號：ZG

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    9bit 可調(diào)光延時線芯片 SOI 硅光子技術(shù)集成多比特光時延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技術(shù)，是目前綜合性能和集成度最高的光時延器產(chǎn)品。采用二進制多級時延回路結(jié)構(gòu)，芯片集成時延切換開關(guān)和包含了均衡和雜波抑制衰減器的延遲光波導回路，延時切換時間達到 200ns 以下，最大總時延量 1022ps；延時精度 0.5ps，片內(nèi)單級延時損耗低至 0.8dB/bit
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  • ZG9bit 可調(diào)光延時線芯片
    ZG9bit 可調(diào)光延時線芯片

    更新時間：2025-05-10

    型號：ZG

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    9bit 可調(diào)光延時線芯片片集成多比特光時延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技術(shù)，是目前綜合性能和集成度最高的光時延器產(chǎn)品。采用二進制多級時延回路結(jié)構(gòu)，芯片集成時延切換開關(guān)和包含了均衡和雜波抑制衰減器的延遲光波導回路，延時切換時間達到 200ns 以下，最大總時延量 1022ps；延時精度 0.5ps，片內(nèi)單級延時損耗低至 0.8dB/bit
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  • ZG單片集成 9bit 可調(diào)光延時線芯片
    ZG單片集成 9bit 可調(diào)光延時線芯片

    更新時間：2025-05-10

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    單片集成 9bit 可調(diào)光延時線芯片片集成多比特光時延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技術(shù)，是目前綜合性能和集成度最高的光時延器產(chǎn)品。采用二進制多級時延回路結(jié)構(gòu)，芯片集成時延切換開關(guān)和包含了均衡和雜波抑制衰減器的延遲光波導回路，延時切換時間達到 200ns 以下，最大總時延量 1022ps；延時精度 0.5ps，片內(nèi)單級延時損耗低至 0.8dB/bit
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  • ZGSOI單片集成 9bit 可調(diào)光時延線芯片
    ZGSOI單片集成 9bit 可調(diào)光時延線芯片

    更新時間：2025-05-10

    型號：ZG

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    SOI單片集成 9bit 可調(diào)光時延線芯片片集成多比特光時延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技術(shù)，是目前綜合性能和集成度最高的光時延器產(chǎn)品。采用二進制多級時延回路結(jié)構(gòu)，芯片集成時延切換開關(guān)和包含了均衡和雜波抑制衰減器的延遲光波導回路，延時切換時間達到 200ns 以下，最大總時延量 1022ps；延時精度 0.5ps，片內(nèi)單級延時損耗低至 0.8dB/bit
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  • ZG硅基單片集成 9bit 可調(diào)光時延線芯片
    ZG硅基單片集成 9bit 可調(diào)光時延線芯片

    更新時間：2025-05-10

    型號：ZG

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    硅基單片集成 9bit 可調(diào)光時延線芯片片集成多比特光時延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技術(shù)，是目前綜合性能和集成度最高的光時延器產(chǎn)品。采用二進制多級時延回路結(jié)構(gòu)，芯片集成時延切換開關(guān)和包含了均衡和雜波抑制衰減器的延遲光波導回路，延時切換時間達到 200ns 以下，最大總時延量 1022ps；延時精度 0.5ps，片內(nèi)單級延時損耗低至 0.8dB/bit
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  • ZGSOI納秒光開關(guān)芯片陣列
    ZGSOI納秒光開關(guān)芯片陣列

    更新時間：2025-05-10

    型號：ZG

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    SOI納秒光開關(guān)芯片陣列該產(chǎn)品基于硅基載流子色散效應實現(xiàn)納秒級高速響應的光路切換，實現(xiàn)了多通道光開關(guān)陣列的單片化集成，芯片與多通道光纖和外圍驅(qū)動電路一體化光電封裝，熱電混調(diào)，數(shù)字化驅(qū)動，偏振相關(guān)性小，插入損耗低
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